IGFET (ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามเกตฉนวน): เกตถูกแยกออกจากช่องโดย ชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ ซึ่งเป็นฉนวนเพื่อให้แน่ใจว่าเกตถูกแยกออกจากทั้งสองแหล่ง และระบายน้ำ
ประตูและช่องสัญญาณใน MOSFET คืออะไร
MOSFET ทำงานเหมือนกับของ JFET แต่มีขั้วเกตที่แยกทางไฟฟ้าจาก ช่องนำไฟฟ้า.
ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามเกทหุ้มฉนวนหรือ Igfet คืออะไร
ฉนวน-gate FET หรือที่รู้จักในชื่อ metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) นั้นคล้ายกับ JFET แต่มีอิมพีแดนซ์อินพุตต้านทานที่ใหญ่กว่าเนื่องจาก ชั้นบาง ๆ ของซิลิกอนไดออกไซด์ที่ใช้ป้องกันประตูจากช่องสารกึ่งตัวนำ
สร้างช่องใน MOSFET ได้อย่างไร
การทำงานของ MOSFET ขึ้นอยู่กับตัวเก็บประจุของ MOS ตัวเก็บประจุ MOS เป็นส่วนหลักของ MOSFET พื้นผิวสารกึ่งตัวนำที่ชั้นออกไซด์ด้านล่างซึ่งอยู่ระหว่างขั้วต้นทางและปลายท่อระบาย … ถ้าเราใช้แรงดันลบ ช่องรูจะถูกสร้างขึ้นภายใต้ชั้นออกไซด์
ช่องไหนใน MOSFET?
N-Channel MOSFET มีบริเวณ N- channel ตั้งอยู่ระหว่างต้นทางและปลายทางระบายน้ำ เป็นอุปกรณ์สี่ขั้วที่มีขั้วเป็นประตู ท่อระบายน้ำ ต้นทาง, ร่างกาย. ในทรานซิสเตอร์แบบ Field Effect Transistor ประเภทนี้ การเดรนและแหล่งจ่ายจะถูกเจือหนักบริเวณ n+ และซับสเตรตหรือส่วนประกอบเป็นประเภท P